на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.5 грн |
| 10+ | 90.14 грн |
| 100+ | 64.9 грн |
| 500+ | 58.52 грн |
| 1000+ | 54.2 грн |
| 5000+ | 46.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH3R70APL1,LQ Toshiba
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Ta), 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TPH3R70APL1,LQ за ціною від 40.28 грн до 111.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPH3R70APL1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TPH3R70APL1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|