на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 32.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH6R30ANL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TPH6R30ANL,L1Q(M за ціною від 31.62 грн до 49.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH6R30ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TPH6R30ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 54W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TPH6R30ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 54W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |