Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH6R30ANL,L1Q
TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R30ANL_datasheet_en_20191018.pdf?did=53698&prodName=TPH6R30ANL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.57 грн
10+ 57.29 грн
100+ 44.55 грн
500+ 35.44 грн
1000+ 28.87 грн
2000+ 27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH6R30ANL,L1Q за ціною від 26.97 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH6R30ANL,L1Q TPH6R30ANL,L1Q Виробник : Toshiba TPH6R30ANL_datasheet_en_20191018-1114623.pdf MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
на замовлення 12129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.82 грн
10+ 64.47 грн
100+ 43.64 грн
500+ 36.93 грн
1000+ 28.43 грн
2500+ 28.36 грн
5000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH6R30ANL,L1Q TPH6R30ANL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL_datasheet_en_20191018.pdf?did=53698&prodName=TPH6R30ANL Description: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
товар відсутній