TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


TPH8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14068&prodName=TPH8R903NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.89 грн
10+ 45.11 грн
100+ 31.22 грн
500+ 24.48 грн
1000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH8R903NL,LQ за ціною від 18.07 грн до 58.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH8R903NL,LQ TPH8R903NL,LQ Виробник : Toshiba TPH8R903NL_datasheet_en_20140218-1915982.pdf MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.36 грн
10+ 50.19 грн
100+ 30.16 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 21.46 грн
3000+ 19.06 грн
6000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPH8R903NL,LQ TPH8R903NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14068&prodName=TPH8R903NL Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній