Продукція > TOSHIBA > TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PL,L1Q(M

TPN2R304PL,L1Q(M TOSHIBA


3622647.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 17886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.39 грн
500+ 30.58 грн
1000+ 21.14 грн
5000+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R304PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

Інші пропозиції TPN2R304PL,L1Q(M за ціною від 19.61 грн до 88.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622647.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 17886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.88 грн
13+ 60.81 грн
100+ 40.39 грн
500+ 30.58 грн
1000+ 21.14 грн
5000+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
132+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 132
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній