TT8M3TR Rohm Semiconductor
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 795+ | 14.65 грн |
| 801+ | 14.55 грн |
| 835+ | 13.96 грн |
| 1000+ | 13.26 грн |
| 2000+ | 12.19 грн |
| 3000+ | 11.54 грн |
| 6000+ | 11.37 грн |
| 12000+ | 11.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8M3TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST.
Інші пропозиції TT8M3TR за ціною від 18.68 грн до 21.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TT8M3TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TT8M3TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| TT8M3TR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TT8M3TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
TT8M3TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
TT8M3TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
товар відсутній |