TW027N65C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1512.68 грн |
| 5+ | 1416.55 грн |
| 10+ | 1319.68 грн |
| 50+ | 1213.65 грн |
| 100+ | 1108.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW027N65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції TW027N65C,S1F(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TW027N65C,S1F(S | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V |
товар відсутній |