на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1510.41 грн |
| 10+ | 1323.07 грн |
| 30+ | 1072.78 грн |
| 60+ | 1038.9 грн |
| 120+ | 1005.69 грн |
| 270+ | 938.6 грн |
| 510+ | 863.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW045Z120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Power Dissipation (Max): 182W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V.
Інші пропозиції TW045Z120C,S1F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TW045Z120C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V |
товар відсутній |