UF3C065080K4S Qorvo
Виробник: QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 544.66 грн |
| 30+ | 418.71 грн |
| 120+ | 374.63 грн |
| 510+ | 310.21 грн |
| 1020+ | 279.19 грн |
| 2010+ | 261.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065080K4S Qorvo
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UF3C065080K4S за ціною від 314.19 грн до 2098.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Case: TO247-4 Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Case: TO247-4 Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|