UJ3D06506TS Qorvo
Виробник: QorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 58496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.57 грн |
| 10+ | 154.09 грн |
| 100+ | 122.65 грн |
| 500+ | 97.39 грн |
| 1000+ | 82.64 грн |
| 2000+ | 78.51 грн |
| 5000+ | 74.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D06506TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції UJ3D06506TS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| UJ3D06506TS | Виробник : UnitedSiC |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3 |
товар відсутній |
||
 |
UJ3D06506TS | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
товар відсутній |