UJ3N065080K3S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 532.44 грн |
30+ | 409.51 грн |
120+ | 366.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N065080K3S Qorvo
Description: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції UJ3N065080K3S за ціною від 284.97 грн до 720.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UJ3N065080K3S | Виробник : Qorvo | JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Виробник : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC | JFET 650V/80mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Виробник : United Silicon Carbide | 650V SiC Normally-On JFET |
товар відсутній |