UJ3N120070K3S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 970.76 грн |
30+ | 756.95 грн |
120+ | 712.44 грн |
510+ | 605.91 грн |
1020+ | 555.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120070K3S Qorvo
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UJ3N120070K3S за ціною від 588.53 грн до 1314.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UJ3N120070K3S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | Виробник : Qorvo | JFET 1200V/70mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC | JFET 1200V/70mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|