Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMD12NTR
UMD12NTR

UMD12NTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMD12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMD12NTR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT6.

Інші пропозиції UMD12NTR за ціною від 3.37 грн до 37.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UMD12NTR UMD12NTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
14+ 20.55 грн
100+ 10.38 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD12NTR UMD12NTR Виробник : ROHM Semiconductor umd12ntr-e-1872935.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.2 грн
12+ 27.65 грн
100+ 15.01 грн
500+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
UMD12NTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UMD12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key UMD12NTR Complementary transistors
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+7.3 грн
280+ 3.56 грн
750+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 37
UMD12-N-TR
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 NTR Виробник : ROHM
на замовлення 34630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 N TR Виробник : ROHM 09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 N TR Виробник : ROHM SOT363-D12
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)