UMT1NFHATN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.77 грн |
| 6000+ | 6.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMT1NFHATN Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції UMT1NFHATN за ціною від 4.58 грн до 33.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UMT1NFHATN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMT1NFHATN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP+PNP General Purpose Amplification Transistor (Corresponds to AEC-Q101) |
на замовлення 13288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|