,TO-226_straightlead.jpg "VN2210N3-G")
VN2210N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.27 грн |
| 25+ | 132.27 грн |
| 100+ | 120.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2210N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN2210N3-G за ціною від 116.91 грн до 175.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 100V 0.35Ohm |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN2210N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |