VP2206N3-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VP2206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 178.09 грн |
| 25+ | 147.54 грн |
| 100+ | 133.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP2206N3-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VP2206, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm.
Інші пропозиції VP2206N3-G за ціною від 118.9 грн до 294.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg "VP2206N3-G") |
VP2206N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP2206N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 60V 0.9Ohm |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP2206N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92 Case: TO92 Kind of package: bulk Mounting: THT Drain-source voltage: -60V Drain current: -640mA On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -4A |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VP2206N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92 Case: TO92 Kind of package: bulk Mounting: THT Drain-source voltage: -60V Drain current: -640mA On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|