Продукція > WAYON > WMAA4N80D1B

WMAA4N80D1B WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMAA4N80D1B WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 96W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMAA4N80D1B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMAA4N80D1B Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній