Продукція > WAYON > WMK05N80M3
WMK05N80M3

WMK05N80M3 WAYON


WMx05N80M3.pdf Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMK05N80M3 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ M3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4A, Power dissipation: 45W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.3Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Heatsink thickness: 1.2...1.45mm, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMK05N80M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMK05N80M3 WMK05N80M3 Виробник : WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товар відсутній