WMK08N80M3 WAYON
Виробник: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMK08N80M3 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ M3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 7A, Power dissipation: 70W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.38Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Heatsink thickness: 1.2...1.45mm, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMK08N80M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMK08N80M3 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
товар відсутній |