WMK26N65FD WAYON
Виробник: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMK26N65FD WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ FD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 147W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.2Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Heatsink thickness: 1.2...1.45mm, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMK26N65FD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMK26N65FD | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
товар відсутній |