Продукція > WAYON > WML13N65EM

WML13N65EM WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WML13N65EM WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 31W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ EM, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 6.5A, Pulsed drain current: 35A, Power dissipation: 31W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 20.3nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WML13N65EM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WML13N65EM Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній