WML6N80D1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WML6N80D1 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 41.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 41.7W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 29nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WML6N80D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WML6N80D1 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній