Продукція > WAYON > WML90R1K5S

WML90R1K5S WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 3A; Idm: 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WML90R1K5S WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 3A; Idm: 15A; 29W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ S, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 29W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 11.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WML90R1K5S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WML90R1K5S Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 3A; Idm: 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній