WMN10N80M3 WAYON
Виробник: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMN10N80M3 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ M3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 10A, Power dissipation: 85W, Case: TO262, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.03Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMN10N80M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMN10N80M3 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.03Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |