Продукція > WAYON > WMO10N100C2

WMO10N100C2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3.3A; Idm: 18A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO10N100C2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3.3A; Idm: 18A; 86W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ C2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 3.3A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 86W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 18.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO10N100C2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO10N100C2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3.3A; Idm: 18A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній