Продукція > WAYON > WMO13N70EM

WMO13N70EM WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO13N70EM WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 6.5A; Idm: 35A; 85W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ EM, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 6.5A, Pulsed drain current: 35A, Power dissipation: 85W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 20.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO13N70EM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO13N70EM Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній