Продукція > WAYON > WMO15N65F2

WMO15N65F2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO15N65F2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7.8A, Pulsed drain current: 26A, Power dissipation: 86W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 335mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 14.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO15N65F2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO15N65F2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній