Продукція > WAYON > WMO3N120D1

WMO3N120D1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO3N120D1 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A; 62.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 62.5W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 6.3Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 22.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO3N120D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO3N120D1 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній