WMX3N150D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.89 грн |
| 5+ | 78.88 грн |
| 14+ | 60.89 грн |
| 37+ | 57.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMX3N150D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W, Case: TO3PF, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 90W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 40nC, Technology: WMOS™ D1, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 12A, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, On-state resistance: 5.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMX3N150D1 за ціною від 66.43 грн до 112.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMX3N150D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W Case: TO3PF Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Technology: WMOS™ D1 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A On-state resistance: 5.7Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|