WMX4N150D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Technology: WMOS™ D1
Mounting: THT
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 5.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Technology: WMOS™ D1
Mounting: THT
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 5.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.89 грн |
| 5+ | 78.88 грн |
| 14+ | 61.58 грн |
| 36+ | 58.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMX4N150D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W, Technology: WMOS™ D1, Mounting: THT, Power dissipation: 90W, Case: TO3PF, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 16A, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 4A, On-state resistance: 5.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 41nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMX4N150D1 за ціною від 66.43 грн до 112.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMX4N150D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W Technology: WMOS™ D1 Mounting: THT Power dissipation: 90W Case: TO3PF Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A On-state resistance: 5.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 41nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|