XP10N3R8P YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 488.61 грн |
| 50+ | 375.5 грн |
| 100+ | 335.97 грн |
| 500+ | 278.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10N3R8P YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V.
Інші пропозиції XP10N3R8P за ціною від 260.39 грн до 535.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10N3R8P | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10N3R8P | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220 |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|