XP151A11B0MR-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 28.54 грн |
| 500+ | 23.11 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP151A11B0MR-G TOREX
Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP151, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.
Інші пропозиції XP151A11B0MR-G за ціною від 14.43 грн до 50.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP151A11B0MR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP151 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP151A11B0MR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET Power MOSFET, 30V, 1A, N-Type, SOT-23 |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP151A11B0MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
XP151A11B0MR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
XP151A11B0MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |