XP151A13A0MR-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 30.55 грн |
| 500+ | 24.15 грн |
| 1000+ | 16.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP151A13A0MR-G TOREX
Description: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: XP151, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції XP151A13A0MR-G за ціною від 14.68 грн до 54.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP151A13A0MR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XP151 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP151A13A0MR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET Power MOSFET, 20V, 1A, N-Type, SOT-23 |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP151A13A0MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
XP151A13A0MR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
XP151A13A0MR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
XP151A13A0MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |