XP4509AGM YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 74.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP4509AGM YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP4509A Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції XP4509AGM за ціною від 47.69 грн до 139.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP4509AGM | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP4509AGM | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4509A Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP4509AGM | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| XP4509AGM | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |