XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.85 грн |
| 50+ | 146.48 грн |
| 100+ | 125.55 грн |
| 500+ | 104.74 грн |
| 1000+ | 89.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220CFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V.
Інші пропозиції XP65AN1K2IT за ціною від 91 грн до 205.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP65AN1K2IT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220CFM-T |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|