YQ3MM10BTFTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 35.93 грн |
| 10+ | 29.2 грн |
| 25+ | 27.26 грн |
| 100+ | 20.46 грн |
| 250+ | 19 грн |
| 500+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 12.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ3MM10BTFTR Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PMDU, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції YQ3MM10BTFTR за ціною від 10.16 грн до 37.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YQ3MM10BTFTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers MOS STRUCTURE, 100V, 3A, PMDU |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
YQ3MM10BTFTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PMDU Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |