ZHB6718TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 74.49 грн |
| 2000+ | 68.14 грн |
| 5000+ | 65.58 грн |
| 10000+ | 59.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZHB6718TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZHB6718TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach NPN, zweifach PNP, 20 V, 20 V, 2.5 A, 2.5 A, 2 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2.5A, Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 2W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach NPN, zweifach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2.5A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZHB6718TA за ціною від 78.56 грн до 191.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZHB6718TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZHB6718TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach NPN, zweifach PNP, 20 V, 20 V, 2.5 A, 2.5 A, 2 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach NPN, zweifach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2.5A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZHB6718TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SM8 |
на замовлення 87473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZHB6718TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-20V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZHB6718TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZHB6718TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach NPN, zweifach PNP, 20 V, 20 V, 2.5 A, 2.5 A, 2 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach NPN, zweifach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2.5A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZHB6718TA |
|
на замовлення 18217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
ZHB6718TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 2.5A 2000mW 8-Pin SM8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| ZHB6718TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP x2; bipolar; 20V; 2.5A; 2W; SM8; H-bridge Collector-emitter voltage: 20V Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 6A Type of transistor: NPN / PNP x2 Current gain: 200 Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: H-bridge Case: SM8 Frequency: 140MHz Collector current: 2.5A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| ZHB6718TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP x2; bipolar; 20V; 2.5A; 2W; SM8; H-bridge Collector-emitter voltage: 20V Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 6A Type of transistor: NPN / PNP x2 Current gain: 200 Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: H-bridge Case: SM8 Frequency: 140MHz Collector current: 2.5A Mounting: SMD |
товар відсутній |