ZXM64P02XTA

ZXM64P02XTA Diodes Incorporated


ZXM64P02X.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+45.39 грн
2000+ 40.79 грн
5000+ 38.75 грн
10000+ 35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXM64P02XTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-MSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ZXM64P02XTA за ціною від 32.75 грн до 99.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Виробник : Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.45 грн
10+ 78.68 грн
100+ 57.06 грн
500+ 47.83 грн
1000+ 35.21 грн
2000+ 33.28 грн
5000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Виробник : Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.88 грн
10+ 85.94 грн
100+ 67.01 грн
500+ 51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Виробник : Diodes Inc zxm64p02x.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R
товар відсутній
ZXM64P02XTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXM64P02X.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ZXM64P02XTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXM64P02X.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній