Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMC3A16DN8TC
ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.25 грн
5000+ 38.65 грн
12500+ 37.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMC3A16DN8TC за ціною від 34.01 грн до 100.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.88 грн
10+ 85.73 грн
100+ 66.84 грн
500+ 51.82 грн
1000+ 40.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.75 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.07 грн
500+ 46.63 грн
1000+ 38 грн
2500+ 35.74 грн
5000+ 34.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZXMC3A16DN8TC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMC3A16DN8.pdf ZXMC3A16DN8TC Multi channel transistors
товар відсутній