Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC3A01N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMHC3A01N8TC за ціною від 25.31 грн до 70.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 34090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.36 грн
10+ 48.97 грн
100+ 34.28 грн
500+ 31.22 грн
1000+ 27.43 грн
2500+ 25.77 грн
5000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 128789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.42 грн
10+ 55.63 грн
100+ 43.28 грн
500+ 34.43 грн
1000+ 28.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMHC3A01N8TC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC3A01N8.pdf ZXMHC3A01N8TC SMD N channel transistors
товар відсутній