Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A08GTA
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A08G.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.82 грн
2000+ 17.86 грн
5000+ 16.92 грн
10000+ 14.7 грн
25000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ZXMN10A08GTA за ціною від 16.27 грн до 49.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 147364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.86 грн
10+ 40.69 грн
100+ 28.2 грн
500+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.75 грн
10+ 42.4 грн
100+ 26.04 грн
500+ 19.99 грн
1000+ 17.8 грн
2000+ 16.54 грн
5000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Виробник : Diodes Inc 34084255365546936zxmn10a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній