Продукція > DIODES INC > ZXMN2A01FTA
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA Diodes Inc

171zxmn2a01f.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2A01FTA Diodes Inc

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 806, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ZXMN2A01FTA за ціною від 6.45 грн до 38.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 1238787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.93 грн
6000+ 8.24 грн
9000+ 7.42 грн
30000+ 6.86 грн
75000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.12 грн
6000+ 8.6 грн
15000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.05 грн
6000+ 9.33 грн
15000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.82 грн
6000+ 10.04 грн
15000+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.14 грн
6000+ 10.18 грн
12000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : DIODES INC. DIODS21809-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.82 грн
500+ 13.77 грн
1000+ 9.52 грн
5000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
473+24.64 грн
633+ 18.41 грн
639+ 18.25 грн
828+ 13.57 грн
1080+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 473
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Zetex 171zxmn2a01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+27.82 грн
25+ 23.49 грн
26+ 22.88 грн
100+ 16.48 грн
250+ 15.13 грн
500+ 11.2 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 1239670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
12+ 24.77 грн
100+ 14.84 грн
500+ 12.89 грн
1000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf MOSFET 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 40328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.48 грн
12+ 27.12 грн
100+ 16.81 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 9.5 грн
3000+ 8.64 грн
6000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : DIODES INC. DIODS21809-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.52 грн
25+ 30.7 грн
100+ 19.82 грн
500+ 13.77 грн
1000+ 9.52 грн
5000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN2A01F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN2A01F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній