ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
12+ 24.15 грн
100+ 16.44 грн
500+ 11.57 грн
1000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2F30FHQTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V.

Інші пропозиції ZXMN2F30FHQTA за ціною від 7.04 грн до 32.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833263_1-2541923.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.78 грн
12+ 26.05 грн
100+ 15.41 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 8.7 грн
3000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Inc zxmn2f30fhq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
ZXMN2F30FHQTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN2F30FHQTA SMD N channel transistors
товар відсутній
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товар відсутній