ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 11.61 грн |
| 2000+ | 10 грн |
| 5000+ | 9.49 грн |
| 10000+ | 8.27 грн |
| 25000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 970mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMN3A01ZTA за ціною від 8.44 грн до 36.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN3A01ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 970mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 970mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V |
на замовлення 50286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 970mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |