Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A02X8TA
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated

ZXMN3A02X8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZXMN3A02X8TA за ціною від 39.72 грн до 112.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A02X8.pdf MOSFET 30V N Chnl UMOS
на замовлення 16195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.37 грн
10+ 99.31 грн
100+ 67.75 грн
500+ 55.53 грн
1000+ 43.84 грн
2000+ 40.92 грн
5000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8.pdf
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)