ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 21.06 грн |
6000+ | 19.21 грн |
9000+ | 17.79 грн |
30000+ | 16.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZXMN3A03E6TA за ціною від 17.47 грн до 56.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 30V N Chnl UMOS |
на замовлення 73723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 54941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |