Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated

ZXMN3A04K.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.75 грн
10+ 100.33 грн
100+ 79.84 грн
500+ 63.4 грн
1000+ 53.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXMN3A04KTC за ціною від 55.86 грн до 151.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN3A04KTC ZXMN3A04KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A04K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.21 грн
10+ 105.38 грн
100+ 83.84 грн
500+ 66.58 грн
1000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A04KTC ZXMN3A04KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A04K.pdf MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.89 грн
10+ 135.21 грн
100+ 94.32 грн
500+ 77.72 грн
1000+ 64.3 грн
2500+ 59.58 грн
10000+ 55.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A04KTC ZXMN3A04K.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMN3A04KTC ZXMN3A04KTC Виробник : Diodes Zetex 495zxmn3a04k.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
ZXMN3A04KTC ZXMN3A04KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A04K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній