Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (215) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1 SemiQ GCMS004A120S7B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товар відсутній
GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1 SemiQ GCMS008A120B1B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товар відсутній
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9393.38 грн
10+ 8285.99 грн
20+ 7090.95 грн
50+ 6914.93 грн
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1 SemiQ GCMS020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3414.54 грн
10+ 2989.09 грн
GCMS040A120B1H1 SemiQ GCMS040A120B1H1.pdf Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товар відсутній
GCMS040A120B3C1 SemiQ GCMS040A120B3C1.pdf Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товар відсутній
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товар відсутній
GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товар відсутній
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1_E1-3105103.pdf Discrete Semiconductor Modules
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2443.47 грн
10+ 2045.72 грн
20+ 1717.11 грн
50+ 1663.97 грн
100+ 1610.83 грн
200+ 1503.22 грн
500+ 1382.32 грн
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2226.06 грн
10+ 1904.69 грн
GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1-E1 SemiQ GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товар відсутній
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.16 грн
10+ 1404.42 грн
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1_E1-3178404.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1817.3 грн
10+ 1521.68 грн
20+ 1266.74 грн
50+ 1226.88 грн
100+ 1187.03 грн
200+ 1107.98 грн
500+ 1018.97 грн
GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P SemiQ GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4229 грн
10+ 3790.46 грн
25+ 3185.12 грн
50+ 3075.51 грн
100+ 2965.25 грн
250+ 2854.98 грн
500+ 2828.41 грн
GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P SemiQ GCMX020A120B3H1P_rev1_0-3393875.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товар відсутній
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1 SemiQ GCMX020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2714.68 грн
10+ 2329.26 грн
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товар відсутній
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1_0-3393784.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товар відсутній
GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P SemiQ GCMX040A120B3H1P_rev1_1-3393548.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4456.06 грн
10+ 3993.65 грн
25+ 3356.5 грн
50+ 3240.25 грн
100+ 3124.01 грн
250+ 3008.42 грн
500+ 2979.2 грн
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf Discrete Semiconductor Modules
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2052.11 грн
10+ 1718.77 грн
20+ 1444.76 грн
50+ 1399.59 грн
100+ 1354.42 грн
200+ 1264.75 грн
500+ 1163.12 грн
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1899.12 грн
10+ 1624.94 грн
100+ 1421.22 грн
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2758.51 грн
10+ 2367.04 грн
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P-3393513.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2954.95 грн
10+ 2595.72 грн
25+ 2122.3 грн
50+ 2051.89 грн
100+ 1980.82 грн
250+ 1910.41 грн
500+ 1821.4 грн
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1494.58 грн
10+ 1279.32 грн
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1_E1-3178393.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1611.16 грн
10+ 1349.04 грн
20+ 1137.21 грн
50+ 1102 грн
100+ 1066.8 грн
200+ 995.06 грн
500+ 915.35 грн
GDP60Z120E GDP60Z120E SemiQ GDP60Z120E.pdf Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
товар відсутній
GHIS020A060B1P2 SemiQ GHIS020A060B1P2.pdf Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
товар відсутній
GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2 SemiQ GHIS040A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1 SemiQ GHIS060A060S-A1.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2 SemiQ GHIS060A060S-A2.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товар відсутній
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1 SemiQ GHIS060A120S-A1.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2 SemiQ GHIS060A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товар відсутній
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S_D3-1915596.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1405.02 грн
10+ 1230.64 грн
20+ 1062.81 грн
50+ 1029.6 грн
100+ 935.28 грн
200+ 921.33 грн
500+ 798.44 грн
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1279.73 грн
10+ 1095.47 грн
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2866.29 грн
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S_D3-1916837.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S_D3-1915589.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1812.65 грн
10+ 1780.64 грн
20+ 1501.89 грн
50+ 1481.96 грн
100+ 1352.43 грн
200+ 1311.25 грн
500+ 1263.42 грн
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2487.61 грн
10+ 2134.28 грн
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S_D1E-1916672.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4611.83 грн
10+ 4132.68 грн
20+ 3473.41 грн
50+ 3353.84 грн
100+ 3234.27 грн
200+ 3114.04 грн
500+ 2995.14 грн
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S_D3-1916863.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1942.07 грн
10+ 1700.43 грн
20+ 1380.33 грн
50+ 1337.15 грн
100+ 1293.31 грн
200+ 1207.62 грн
500+ 1110.64 грн
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7779.13 грн
10+ 7271.53 грн
30+ 6228.08 грн
100+ 5975 грн
250+ 5862.08 грн
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3416.7 грн
10+ 2931.66 грн
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4876.07 грн
10+ 4410.95 грн
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S_D3-1915598.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4943.52 грн
10+ 4577.27 грн
30+ 3908.49 грн
100+ 3566.4 грн
250+ 3499.31 грн
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S_D3-1916832.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6989.43 грн
10+ 6534.37 грн
30+ 5526.63 грн
100+ 5286.83 грн
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6481.31 грн
10+ 5919.16 грн
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S_D3-1916603.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4076.33 грн
10+ 3850.04 грн
30+ 3223.64 грн
100+ 2940.67 грн
250+ 2886.2 грн
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3761.6 грн
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ GHXS050A170S_D3-1916809.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
1+3860.11 грн
10+ 3390.17 грн
20+ 2772.61 грн
50+ 2679.62 грн
100+ 2587.95 грн
200+ 2494.95 грн
500+ 2380.04 грн
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11386.12 грн
10+ 10269.15 грн
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S_D3-1916884.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2145.11 грн
10+ 1878.42 грн
20+ 1577.61 грн
50+ 1543.07 грн
100+ 1428.15 грн
200+ 1380.33 грн
500+ 1305.27 грн
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2035.65 грн
10+ 1741.88 грн
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2899.34 грн
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S_D3-1916892.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3213.02 грн
10+ 2691.97 грн
20+ 2261.8 грн
50+ 2186.07 грн
100+ 2111.01 грн
200+ 2035.29 грн
500+ 1940.96 грн
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ GHXS060B120S_D3-1916721.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5982.75 грн
10+ 5541.31 грн
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6231.97 грн
10+ 5478.81 грн
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S_D3-1916873.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2678.29 грн
10+ 2352.04 грн
20+ 1978.16 грн
50+ 1942.29 грн
100+ 1795.49 грн
200+ 1759.62 грн
500+ 1699.17 грн
GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1.pdf
GCMS004A120S7B1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товар відсутній
GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1.pdf
GCMS008A120B1B1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товар відсутній
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf
GCMS020A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9393.38 грн
10+ 8285.99 грн
20+ 7090.95 грн
50+ 6914.93 грн
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1.pdf
GCMS020A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1.pdf
GCMS020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3414.54 грн
10+ 2989.09 грн
GCMS040A120B1H1 GCMS040A120B1H1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товар відсутній
GCMS040A120B3C1 GCMS040A120B3C1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товар відсутній
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf
GCMS040A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товар відсутній
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товар відсутній
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1_E1-3105103.pdf
GCMS040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2443.47 грн
10+ 2045.72 грн
20+ 1717.11 грн
50+ 1663.97 грн
100+ 1610.83 грн
200+ 1503.22 грн
500+ 1382.32 грн
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1.pdf
GCMS040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2226.06 грн
10+ 1904.69 грн
GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf
GCMS080A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товар відсутній
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1.pdf
GCMS080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1641.16 грн
10+ 1404.42 грн
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1_E1-3178404.pdf
GCMS080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1817.3 грн
10+ 1521.68 грн
20+ 1266.74 грн
50+ 1226.88 грн
100+ 1187.03 грн
200+ 1107.98 грн
500+ 1018.97 грн
GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf
GCMX020A120B2B1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4229 грн
10+ 3790.46 грн
25+ 3185.12 грн
50+ 3075.51 грн
100+ 2965.25 грн
250+ 2854.98 грн
500+ 2828.41 грн
GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P_rev1_0-3393875.pdf
GCMX020A120B3H1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товар відсутній
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1.pdf
GCMX020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2714.68 грн
10+ 2329.26 грн
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX040A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товар відсутній
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1_0-3393784.pdf
GCMX040A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товар відсутній
GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P_rev1_1-3393548.pdf
GCMX040A120B3H1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4456.06 грн
10+ 3993.65 грн
25+ 3356.5 грн
50+ 3240.25 грн
100+ 3124.01 грн
250+ 3008.42 грн
500+ 2979.2 грн
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2052.11 грн
10+ 1718.77 грн
20+ 1444.76 грн
50+ 1399.59 грн
100+ 1354.42 грн
200+ 1264.75 грн
500+ 1163.12 грн
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1899.12 грн
10+ 1624.94 грн
100+ 1421.22 грн
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2758.51 грн
10+ 2367.04 грн
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P-3393513.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2954.95 грн
10+ 2595.72 грн
25+ 2122.3 грн
50+ 2051.89 грн
100+ 1980.82 грн
250+ 1910.41 грн
500+ 1821.4 грн
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1.pdf
GCMX080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1494.58 грн
10+ 1279.32 грн
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1_E1-3178393.pdf
GCMX080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1611.16 грн
10+ 1349.04 грн
20+ 1137.21 грн
50+ 1102 грн
100+ 1066.8 грн
200+ 995.06 грн
500+ 915.35 грн
GDP60Z120E GDP60Z120E.pdf
GDP60Z120E
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
товар відсутній
GHIS020A060B1P2 GHIS020A060B1P2.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
товар відсутній
GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2.pdf
GHIS040A120S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1.pdf
GHIS060A060S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2.pdf
GHIS060A060S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товар відсутній
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1.pdf
GHIS060A120S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2.pdf
GHIS060A120S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товар відсутній
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S_D3-1915596.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1405.02 грн
10+ 1230.64 грн
20+ 1062.81 грн
50+ 1029.6 грн
100+ 935.28 грн
200+ 921.33 грн
500+ 798.44 грн
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1279.73 грн
10+ 1095.47 грн
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2866.29 грн
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S_D3-1916837.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S_D3-1915589.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1812.65 грн
10+ 1780.64 грн
20+ 1501.89 грн
50+ 1481.96 грн
100+ 1352.43 грн
200+ 1311.25 грн
500+ 1263.42 грн
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2487.61 грн
10+ 2134.28 грн
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S_D1E-1916672.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4611.83 грн
10+ 4132.68 грн
20+ 3473.41 грн
50+ 3353.84 грн
100+ 3234.27 грн
200+ 3114.04 грн
500+ 2995.14 грн
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S_D3-1916863.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1942.07 грн
10+ 1700.43 грн
20+ 1380.33 грн
50+ 1337.15 грн
100+ 1293.31 грн
200+ 1207.62 грн
500+ 1110.64 грн
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7779.13 грн
10+ 7271.53 грн
30+ 6228.08 грн
100+ 5975 грн
250+ 5862.08 грн
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3416.7 грн
10+ 2931.66 грн
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4876.07 грн
10+ 4410.95 грн
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S_D3-1915598.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4943.52 грн
10+ 4577.27 грн
30+ 3908.49 грн
100+ 3566.4 грн
250+ 3499.31 грн
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S_D3-1916832.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6989.43 грн
10+ 6534.37 грн
30+ 5526.63 грн
100+ 5286.83 грн
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6481.31 грн
10+ 5919.16 грн
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S_D3-1916603.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4076.33 грн
10+ 3850.04 грн
30+ 3223.64 грн
100+ 2940.67 грн
250+ 2886.2 грн
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3761.6 грн
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S_D3-1916809.pdf
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3860.11 грн
10+ 3390.17 грн
20+ 2772.61 грн
50+ 2679.62 грн
100+ 2587.95 грн
200+ 2494.95 грн
500+ 2380.04 грн
GHXS050A170S-D3
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11386.12 грн
10+ 10269.15 грн
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S_D3-1916884.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2145.11 грн
10+ 1878.42 грн
20+ 1577.61 грн
50+ 1543.07 грн
100+ 1428.15 грн
200+ 1380.33 грн
500+ 1305.27 грн
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2035.65 грн
10+ 1741.88 грн
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2899.34 грн
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S_D3-1916892.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3213.02 грн
10+ 2691.97 грн
20+ 2261.8 грн
50+ 2186.07 грн
100+ 2111.01 грн
200+ 2035.29 грн
500+ 1940.96 грн
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S_D3-1916721.pdf
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5982.75 грн
10+ 5541.31 грн
GHXS060B120S-D3
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6231.97 грн
10+ 5478.81 грн
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S_D3-1916873.pdf
GHXS100B065S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2678.29 грн
10+ 2352.04 грн
20+ 1978.16 грн
50+ 1942.29 грн
100+ 1795.49 грн
200+ 1759.62 грн
500+ 1699.17 грн
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]