Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13070) > Сторінка 129 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 147 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HDEPV10GEA51F HDEPV10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23641.28 грн
10+ 21952.9 грн
25+ 21627.71 грн
HDEPV11GEA51F HDEPV11GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18347.6 грн
10+ 17037.09 грн
HDEPV13GEA51F HDEPV13GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16375.25 грн
10+ 15205.95 грн
HDEPV20GEA51F HDEPV20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21686.85 грн
10+ 20138.37 грн
25+ 19839.96 грн
HDEPV21GEA51F HDEPV21GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18347.6 грн
10+ 17037.09 грн
HDEPV23GEA51F HDEPV23GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20469.25 грн
10+ 19007.49 грн
HDEPW11GEA51F HDEPW11GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24027.24 грн
HDEPW10GEA51F HDEPW10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: HDD 14TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29544.88 грн
10+ 28029.14 грн
HDEPW21GEA51F HDEPW21GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26209.36 грн
20+ 24864.54 грн
HDEPW20GEA51F HDEPW20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 14TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29544.88 грн
20+ 28029.14 грн
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TDTC114E,LM TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TCS30DLU,LF TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
товар відсутній
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.7 грн
6000+ 4.33 грн
9000+ 3.75 грн
30000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF105,LM(CT TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF185,LM(CT TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DF19,LM(CT TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19 Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27 Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275 Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товар відсутній
TCR3DG35,LF TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG45,LF TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5BM10,L3F TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
MT3S111TU,LF MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU Description: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.41 грн
6000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J09FU,LF SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
товар відсутній
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
6000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+ 5.13 грн
9000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.94 грн
35+ 8.27 грн
100+ 4.43 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
TDTC114E,LM TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TCS30DLU,LF TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
11+ 26.74 грн
25+ 23.03 грн
50+ 20.85 грн
100+ 17.76 грн
500+ 15.44 грн
1000+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=365&prodName=SSM6N44FU Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 14471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
17+ 17.47 грн
100+ 8.83 грн
500+ 6.76 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
17+ 17.61 грн
100+ 8.9 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR3DF105,LM(CT TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
13+ 23.94 грн
25+ 20.93 грн
100+ 12.72 грн
250+ 10.53 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF185,LM(CT TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DF19,LM(CT TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19 Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
12+ 25.02 грн
25+ 21.88 грн
100+ 13.3 грн
250+ 11 грн
500+ 8.81 грн
1000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27 Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275 Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товар відсутній
TCR3DG35,LF TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG45,LF TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5BM10,L3F TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
11+ 26.17 грн
25+ 23.95 грн
100+ 16.74 грн
250+ 15.17 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
MT3S111TU,LF MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU Description: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 14664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 35.01 грн
25+ 31.6 грн
100+ 25.95 грн
250+ 22.77 грн
500+ 20.12 грн
1000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
SSM3J09FU,LF SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 10945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
29+ 10.21 грн
100+ 4.96 грн
500+ 3.89 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 21034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
14+ 20.85 грн
100+ 10.52 грн
500+ 8.06 грн
1000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
16+ 18.04 грн
100+ 9.11 грн
500+ 6.97 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
17+ 17.83 грн
100+ 10.69 грн
500+ 9.29 грн
1000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 32987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.65 грн
21+ 13.87 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
2000+ 3.2 грн
5000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
19+ 15.96 грн
100+ 8.05 грн
500+ 6.16 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CUHS15F40,H3F CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.65 грн
6000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHS15F40,H3F CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 12015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
16+ 18.4 грн
100+ 11.04 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN1702,LF RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1705,LF RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1908,LF(CT RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2901,LF(CT RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901 Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
HDEPV10GEA51F eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf
HDEPV10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+23641.28 грн
10+ 21952.9 грн
25+ 21627.71 грн
HDEPV11GEA51F
HDEPV11GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18347.6 грн
10+ 17037.09 грн
HDEPV13GEA51F eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf
HDEPV13GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+16375.25 грн
10+ 15205.95 грн
HDEPV20GEA51F eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf
HDEPV20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21686.85 грн
10+ 20138.37 грн
25+ 19839.96 грн
HDEPV21GEA51F
HDEPV21GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18347.6 грн
10+ 17037.09 грн
HDEPV23GEA51F
HDEPV23GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+20469.25 грн
10+ 19007.49 грн
HDEPW11GEA51F
HDEPW11GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+24027.24 грн
HDEPW10GEA51F
HDEPW10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 14TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+29544.88 грн
10+ 28029.14 грн
HDEPW21GEA51F
HDEPW21GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+26209.36 грн
20+ 24864.54 грн
HDEPW20GEA51F
HDEPW20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 14TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+29544.88 грн
20+ 28029.14 грн
TDTA114Y,LM TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y
TDTA114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TDTC114E,LM TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E
TDTC114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TCS30DLU,LF TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU
TCS30DLU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
товар відсутній
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.7 грн
6000+ 4.33 грн
9000+ 3.75 грн
30000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF105,LM(CT
TCR3DF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF185,LM(CT
TCR3DF185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DF19,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19
TCR3DF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF27,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF275,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товар відсутній
TCR3DG35,LF
TCR3DG35,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG45,LF
TCR3DG45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5BM10,L3F TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10
TCR5BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
MT3S111TU,LF MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU
MT3S111TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.41 грн
6000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J09FU,LF docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU
SSM3J09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
товар відсутній
SSM3J15F,LF SSM3J15F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22748&prodName=SSM3J15F
SSM3J15F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.59 грн
6000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.57 грн
6000+ 5.13 грн
9000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.81 грн
6000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3K35CT,L3F
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TDTA114Y,LM TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y
TDTA114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.94 грн
35+ 8.27 грн
100+ 4.43 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
TDTC114E,LM TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E
TDTC114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TCS30DLU,LF TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU
TCS30DLU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.58 грн
11+ 26.74 грн
25+ 23.03 грн
50+ 20.85 грн
100+ 17.76 грн
500+ 15.44 грн
1000+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=365&prodName=SSM6N44FU
SSM6N44FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 14471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.13 грн
17+ 17.47 грн
100+ 8.83 грн
500+ 6.76 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.13 грн
17+ 17.61 грн
100+ 8.9 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR3DF105,LM(CT
TCR3DF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.59 грн
13+ 23.94 грн
25+ 20.93 грн
100+ 12.72 грн
250+ 10.53 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF185,LM(CT
TCR3DF185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DF19,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19
TCR3DF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.09 грн
12+ 25.02 грн
25+ 21.88 грн
100+ 13.3 грн
250+ 11 грн
500+ 8.81 грн
1000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR3DF27,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DF275,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товар відсутній
TCR3DG35,LF
TCR3DG35,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG45,LF
TCR3DG45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5BM10,L3F TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10
TCR5BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.59 грн
11+ 26.17 грн
25+ 23.95 грн
100+ 16.74 грн
250+ 15.17 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
MT3S111TU,LF MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU
MT3S111TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 14664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 35.01 грн
25+ 31.6 грн
100+ 25.95 грн
250+ 22.77 грн
500+ 20.12 грн
1000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
SSM3J09FU,LF docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU
SSM3J09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J15F,LF SSM3J15F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22748&prodName=SSM3J15F
SSM3J15F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 10945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.68 грн
29+ 10.21 грн
100+ 4.96 грн
500+ 3.89 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 21034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.61 грн
14+ 20.85 грн
100+ 10.52 грн
500+ 8.06 грн
1000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
16+ 18.04 грн
100+ 9.11 грн
500+ 6.97 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.89 грн
17+ 17.83 грн
100+ 10.69 грн
500+ 9.29 грн
1000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3K35CT,L3F
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 32987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.65 грн
21+ 13.87 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
2000+ 3.2 грн
5000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.89 грн
19+ 15.96 грн
100+ 8.05 грн
500+ 6.16 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CUHS15F40,H3F CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40
CUHS15F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.65 грн
6000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHS15F40,H3F CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40
CUHS15F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 12015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.64 грн
16+ 18.4 грн
100+ 11.04 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN1702,LF
RN1702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1705,LF
RN1705,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.33 грн
6000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1908,LF(CT
RN1908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2901,LF(CT docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901
RN2901,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 147 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]