Продукція > R60

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R60Copper Mountain TechnologiesDescription: NETWORK ANALYZER 1-PORT 6 GHZ
Packaging: Box
Features: 1 Port
Style: Bench
Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz
Part Status: Active
товар відсутній
R60-050 (FRX050-60F)
Код товару: 170731		Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
товар відсутній
R60-10JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 3/8 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
R60-10 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030917-00
товар відсутній
R60-10(NJ)JST CorporationR60-10(NJ)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+121.58 грн
106+ 110.88 грн
129+ 90.75 грн
200+ 81.88 грн
800+ 75.55 грн
1600+ 62.61 грн
Мінімальне замовлення: 96
R60-3001002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.787" (20.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.394" (10.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001102Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.827" (21.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.433" (11.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001202Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3001202Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.472" (12.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001302Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.906" (23.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.512" (13.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001402Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.551" (14.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.984" (25.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.591" (15.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001502Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3001602Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.024" (26.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.630" (16.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001802Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM
товар відсутній
R60-3002002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM
товар відсутній
R60-3002002Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товар відсутній
R60-3002502Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товар відсутній
R60-3002502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM
товар відсутній
R60-3003002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM
товар відсутній
R60-3003002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3003502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM
товар відсутній
R60-3004002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3004002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM
товар відсутній
R60-8JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16
Features: Brazed Seam
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 5/16 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
R60-8 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030907-00
товар відсутній
R600-000-000Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE
товар відсутній
R600-000-001Hammond2.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товар відсутній
R600-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket
товар відсутній
R600-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-002HammondRolec Gasket 3.0mm X 1M
товар відсутній
R600-000-003Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-003Hammond3.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товар відсутній
R600-000-003Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M
товар відсутній
R600-008-080Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T
товар відсутній
R6000W.H. BradyLabels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12184.19 грн
2+ 12079.92 грн
3+ 11737.78 грн
5+ 10907.02 грн
10+ 10032.26 грн
R6000Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984'
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9598.12 грн
10+ 8626.15 грн
R6000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
R6000
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6000625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6000825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-
товар відсутній
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.63 грн
10+ 45.44 грн
100+ 35.33 грн
500+ 28.1 грн
1000+ 22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.31 грн
500+ 31.7 грн
1000+ 23.18 грн
2500+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товар відсутній
R6000ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 0.5A, SOP8, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.85 грн
10+ 50.47 грн
100+ 34.16 грн
500+ 28.97 грн
1000+ 23.57 грн
2500+ 22.18 грн
5000+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.24 грн
15+ 53.04 грн
100+ 41.31 грн
500+ 31.7 грн
1000+ 23.18 грн
2500+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6001
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6001REED InstrumentsDescription: TEMP AND HUMIDITY MONITOR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6001-KITREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Calibration Kit
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товар відсутній
R6001-NISTREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товар відсутній
R6001030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6001225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6001230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товар відсутній
R6001425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6001430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товар відсутній
R6001625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товар відсутній
R6001630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товар відсутній
R6001825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товар відсутній
R6001830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товар відсутній
R6001NLiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tube
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1338.43 грн
10+ 1136.95 грн
25+ 1099.04 грн
50+ 924.71 грн
100+ 889.15 грн
R6001NLTiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
товар відсутній
R6002Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984'
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12344.14 грн
10+ 11462.35 грн
25+ 11292.52 грн
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16789.57 грн
2+ 16645.85 грн
3+ 16174.55 грн
R6002BRADYDescription: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W
tariffCode: 39191080
Art des Zubehörs: Printer Ribbon
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13378.79 грн
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13964.84 грн
2+ 13464.04 грн
3+ 13040.12 грн
5+ 12225.43 грн
R6002025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9
товар відсутній
R6002030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9
товар відсутній
R6002225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
товар відсутній
R6002425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V
товар відсутній
R6002625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товар відсутній
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6002END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.6 грн
10+ 61.73 грн
100+ 41.82 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 28.84 грн
2500+ 27.04 грн
5000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.65 грн
256+ 45.74 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.56 грн
100+ 43.2 грн
500+ 34.37 грн
1000+ 28 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+29.76 грн
427+ 27.34 грн
440+ 26.56 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 21.97 грн
Мінімальне замовлення: 393
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.65 грн
256+ 45.74 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 41.13 грн
2500+ 36.95 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENDTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
товар відсутній
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.13 грн
10+ 66.78 грн
100+ 45.22 грн
500+ 38.36 грн
1000+ 32.7 грн
2500+ 27.77 грн
10000+ 27.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.36 грн
10+ 60.07 грн
100+ 46.73 грн
500+ 37.18 грн
1000+ 30.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
товар відсутній
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.68 грн
17+ 45.87 грн
100+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 46.13 грн
25+ 43.31 грн
100+ 33.17 грн
250+ 30.82 грн
500+ 26.23 грн
1000+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintaini
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 51.23 грн
100+ 30.37 грн
500+ 25.37 грн
1000+ 21.64 грн
2000+ 19.58 грн
4000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+78.69 грн
167+ 69.93 грн
183+ 63.91 грн
200+ 61.44 грн
500+ 35.52 грн
Мінімальне замовлення: 149
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
товар відсутній
R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
товар відсутній
R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.95 грн
10+ 52.16 грн
25+ 49.03 грн
100+ 37.56 грн
250+ 34.88 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1.3A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6003JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintai
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.5 грн
10+ 58.51 грн
100+ 34.76 грн
500+ 28.97 грн
1000+ 24.71 грн
2000+ 22.38 грн
4000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 89.6 грн
100+ 66.26 грн
250+ 60.93 грн
500+ 57 грн
1000+ 47.88 грн
2500+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.74 грн
10+ 93.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.02 грн
10+ 104.4 грн
100+ 83.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6003KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 44W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 82.83 грн
100+ 65.95 грн
500+ 52.37 грн
1000+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+32.04 грн
378+ 30.95 грн
382+ 30.56 грн
500+ 28.13 грн
1000+ 25.6 грн
Мінімальне замовлення: 365
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Power MOSFET. Power MOSFET R6004END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 85.01 грн
100+ 61.93 грн
250+ 57.4 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 44.68 грн
2500+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.71 грн
5000+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.68 грн
10+ 55.83 грн
100+ 37.76 грн
500+ 32.03 грн
1000+ 26.1 грн
2000+ 24.57 грн
4000+ 23.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.11 грн
10+ 54.94 грн
25+ 52.16 грн
100+ 40.22 грн
250+ 37.59 грн
500+ 33.22 грн
1000+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.67 грн
250+ 54.4 грн
500+ 52.44 грн
1000+ 48.91 грн
2500+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 206
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.17 грн
10+ 90.25 грн
100+ 70.36 грн
500+ 54.55 грн
1000+ 43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.67 грн
250+ 54.4 грн
500+ 52.44 грн
1000+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 206
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.44 грн
10+ 94.2 грн
100+ 63.86 грн
500+ 52.48 грн
1000+ 41.42 грн
2500+ 38.62 грн
5000+ 38.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+61.25 грн
250+ 58.79 грн
500+ 56.66 грн
Мінімальне замовлення: 191
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 84.24 грн
100+ 59.2 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 40.76 грн
2000+ 38.09 грн
5000+ 36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.05 грн
10+ 85.95 грн
100+ 68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+71.42 грн
172+ 68.23 грн
250+ 65.49 грн
500+ 60.87 грн
Мінімальне замовлення: 164
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.76 грн
10+ 100.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.36 грн
50+ 125.27 грн
100+ 103.07 грн
500+ 81.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+ 144.74 грн
100+ 99.22 грн
250+ 97.89 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 71.26 грн
2500+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.74 грн
10+ 121 грн
100+ 84.57 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 57.6 грн
2500+ 53.61 грн
5000+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.67 грн
10+ 103.71 грн
100+ 82.52 грн
500+ 65.53 грн
1000+ 55.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.23 грн
13+ 58.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.88 грн
10+ 123.61 грн
100+ 98.36 грн
500+ 78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6004JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 135.27 грн
100+ 107.66 грн
500+ 85.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.15 грн
10+ 134.79 грн
100+ 95.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 80.58 грн
1000+ 64.4 грн
5000+ 63.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.27 грн
10+ 135.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.44 грн
14+ 57.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товар відсутній
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.36 грн
10+ 156.99 грн
25+ 129.19 грн
100+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.3 грн
10+ 120.23 грн
100+ 84.57 грн
500+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
R6004KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.67 грн
10+ 112.45 грн
100+ 90.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.28 грн
10+ 125.6 грн
100+ 86.57 грн
250+ 79.91 грн
500+ 73.25 грн
1000+ 61.73 грн
2000+ 58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.53 грн
10+ 147.91 грн
100+ 117.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.07 грн
10+ 115.15 грн
100+ 91.68 грн
500+ 72.8 грн
1000+ 61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.71 грн
500+ 107.52 грн
1000+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6004PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 600V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.88 грн
10+ 189.16 грн
100+ 134.52 грн
500+ 114.54 грн
1000+ 97.23 грн
2500+ 91.9 грн
5000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.62 грн
10+ 154.76 грн
100+ 125.22 грн
500+ 104.45 грн
1000+ 89.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.23 грн
10+ 165.84 грн
100+ 136.71 грн
500+ 107.52 грн
1000+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6004RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+33.95 грн
10000+ 31.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.38 грн
16+ 47.59 грн
100+ 39.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.92 грн
10+ 64.44 грн
25+ 61.16 грн
100+ 47.13 грн
250+ 44.06 грн
500+ 38.94 грн
1000+ 30.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
товар відсутній
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6584.12 грн
10+ 5917.53 грн
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8225.43 грн
3+ 7991.29 грн
5+ 7423.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 99
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.45 грн
18+ 15.95 грн
21+ 13.25 грн
25+ 11.72 грн
50+ 11.2 грн
100+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.98 грн
24+ 13.1 грн
100+ 9.92 грн
200+ 9.32 грн
500+ 8.86 грн
1000+ 8.39 грн
2000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 1
товар відсутній
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
товар відсутній
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
товар відсутній
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
товар відсутній
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 2
товар відсутній
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006ANDTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
товар відсутній
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.28 грн
10+ 130.9 грн
100+ 105.2 грн
500+ 81.12 грн
1000+ 67.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+121.84 грн
101+ 116.39 грн
250+ 111.72 грн
500+ 103.85 грн
Мінімальне замовлення: 96
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
товар відсутній
R6006ANXFU7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
товар відсутній
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товар відсутній
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.59 грн
10+ 137.85 грн
100+ 97.89 грн
500+ 82.58 грн
1000+ 70.59 грн
2500+ 66.26 грн
5000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.2 грн
10+ 127.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.61 грн
10+ 139.08 грн
100+ 110.69 грн
500+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товар відсутній
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 98
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.06 грн
10+ 98.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 98
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 163.89 грн
100+ 117.2 грн
250+ 107.88 грн
500+ 97.89 грн
1000+ 78.58 грн
5000+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 156.01 грн
100+ 124.13 грн
500+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+106.94 грн
115+ 102.16 грн
250+ 98.06 грн
500+ 91.14 грн
1000+ 81.64 грн
Мінімальне замовлення: 110
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.95 грн
10+ 118.7 грн
100+ 85.24 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 61.4 грн
2500+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+77.94 грн
157+ 74.46 грн
250+ 71.47 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 59.51 грн
Мінімальне замовлення: 150
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.63 грн
10+ 113.9 грн
100+ 90.64 грн
500+ 71.98 грн
1000+ 61.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
товар відсутній
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.95 грн
10+ 59.35 грн
100+ 40.16 грн
500+ 34.1 грн
1000+ 27.77 грн
2000+ 26.1 грн
4000+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+96.73 грн
248+ 47.22 грн
270+ 43.26 грн
272+ 41.52 грн
500+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 121
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 57.85 грн
25+ 54.86 грн
100+ 42.3 грн
250+ 39.54 грн
500+ 34.94 грн
1000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.66 грн
147+ 79.92 грн
Мінімальне замовлення: 140
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.12 грн
10+ 156.23 грн
100+ 107.88 грн
250+ 104.55 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 77.25 грн
2500+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.09 грн
10+ 143.8 грн
100+ 114.44 грн
500+ 90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+84.06 грн
146+ 80.3 грн
250+ 77.08 грн
500+ 71.65 грн
Мінімальне замовлення: 139
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+ 147.69 грн
100+ 117.58 грн
500+ 93.37 грн
1000+ 79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.72 грн
68+ 173.83 грн
100+ 167.93 грн
250+ 157.03 грн
500+ 141.44 грн
1000+ 132.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 164.65 грн
100+ 113.87 грн
250+ 105.22 грн
500+ 95.23 грн
1000+ 86.57 грн
2500+ 75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17352.82 грн
10+ 16113.28 грн
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.13 грн
10+ 78.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
товар відсутній
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
товар відсутній
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.16 грн
10+ 123.2 грн
100+ 98.02 грн
500+ 77.83 грн
1000+ 66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 115.08 грн
100+ 92.54 грн
500+ 71.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.53 грн
10+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+62.6 грн
191+ 61.41 грн
200+ 58.63 грн
203+ 55.67 грн
1000+ 49.96 грн
2000+ 47.03 грн
Мінімальне замовлення: 187
R6007ENJTL
Код товару: 190145		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.95 грн
10+ 118.7 грн
100+ 85.24 грн
500+ 73.25 грн
1000+ 60.27 грн
2000+ 58.2 грн
5000+ 57.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товар відсутній
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.18 грн
130+ 89.96 грн
250+ 86.36 грн
500+ 80.26 грн
1000+ 71.89 грн
Мінімальне замовлення: 124
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
товар відсутній
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 159.29 грн
100+ 111.21 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 75.25 грн
2500+ 69.92 грн
5000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.12 грн
10+ 144.42 грн
100+ 116.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.55 грн
10+ 167.72 грн
100+ 115.21 грн
250+ 110.55 грн
500+ 97.23 грн
1000+ 78.58 грн
5000+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.29 грн
50+ 145.35 грн
100+ 119.6 грн
500+ 94.97 грн
1000+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 98.03 грн
100+ 75.25 грн
250+ 69.26 грн
500+ 63.2 грн
1000+ 54.27 грн
2500+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
товар відсутній
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
товар відсутній
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.8 грн
10+ 94.13 грн
25+ 91.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.94 грн
10+ 169.4 грн
100+ 136.17 грн
500+ 104.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.14 грн
10+ 175.36 грн
100+ 143.7 грн
500+ 114.8 грн
1000+ 96.82 грн
2000+ 91.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.31 грн
10+ 92.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 183.8 грн
50+ 137.18 грн
100+ 114.54 грн
250+ 111.21 грн
500+ 99.22 грн
1000+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 7A TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 89.6 грн
100+ 62.53 грн
250+ 57.74 грн
500+ 52.41 грн
1000+ 51.54 грн
2500+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товар відсутній
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товар відсутній
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товар відсутній
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.15 грн
10+ 117.79 грн
100+ 94.72 грн
500+ 73.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товар відсутній
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.55 грн
10+ 167.72 грн
100+ 115.21 грн
250+ 111.88 грн
500+ 97.23 грн
1000+ 83.24 грн
2500+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
10+ 154 грн
100+ 122.59 грн
500+ 97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+75.7 грн
158+ 74.31 грн
165+ 71.03 грн
Мінімальне замовлення: 155
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.1 грн
10+ 134.47 грн
100+ 106.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.96 грн
5000+ 49.01 грн
10000+ 41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.85 грн
10+ 87.33 грн
25+ 82.44 грн
100+ 65.92 грн
250+ 61.9 грн
500+ 54.16 грн
1000+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
товар відсутній
R6008ANJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6008ANJTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.74 грн
10+ 210.6 грн
100+ 150.5 грн
500+ 127.86 грн
1000+ 107.22 грн
2500+ 101.89 грн
5000+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 169.05 грн
100+ 135.86 грн
500+ 104.75 грн
1000+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товар відсутній
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.79 грн
10+ 257.32 грн
100+ 182.47 грн
500+ 155.83 грн
1000+ 130.52 грн
5000+ 128.53 грн
10000+ 126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
товар відсутній
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009W.H. BradyPrinter Ribbon Black Side Out
товар відсутній
R6009Brady CorporationDescription: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
R6009-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.09 грн
13+ 22.89 грн
15+ 19.08 грн
25+ 16.85 грн
50+ 16.13 грн
100+ 14.33 грн
250+ 13.39 грн
500+ 12.69 грн
1000+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
R6009-00HarwinStandoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.38 грн
14+ 23.36 грн
100+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6009END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Power MOSFET. Power MOSFET R6009END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.03 грн
10+ 134.02 грн
100+ 99.22 грн
250+ 94.56 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 71.26 грн
2500+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+78.88 грн
155+ 75.35 грн
250+ 72.33 грн
500+ 67.23 грн
1000+ 60.21 грн
2500+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 148
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.24 грн
10+ 131.45 грн
100+ 104.61 грн
500+ 83.07 грн
1000+ 70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.55 грн
10+ 79.19 грн
100+ 63.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+94.05 грн
127+ 92.36 грн
795+ 14.68 грн
801+ 14.06 грн
806+ 12.94 грн
1000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 125
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.76 грн
10+ 173.08 грн
100+ 125.2 грн
500+ 109.88 грн
1000+ 89.9 грн
2000+ 87.24 грн
5000+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+127.42 грн
100+ 121.73 грн
250+ 116.84 грн
500+ 108.6 грн
1000+ 97.28 грн
Мінімальне замовлення: 92
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.13 грн
10+ 82.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6009ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.49 грн
10+ 230.51 грн
100+ 163.82 грн
500+ 139.18 грн
1000+ 111.21 грн
5000+ 107.22 грн
10000+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.36 грн
10+ 212.96 грн
100+ 174.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
50+ 136 грн
100+ 116.57 грн
500+ 97.24 грн
1000+ 83.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.45 грн
10+ 185.33 грн
50+ 131.86 грн
100+ 112.54 грн
500+ 100.56 грн
1000+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.76 грн
100+ 119.18 грн
Мінімальне замовлення: 94
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.29 грн
10+ 86.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.57 грн
179+ 65.38 грн
795+ 14.68 грн
812+ 13.87 грн
1000+ 12.49 грн
2000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 176
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 161.14 грн
100+ 129.55 грн
500+ 99.88 грн
1000+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.25 грн
10+ 147.8 грн
100+ 101.89 грн
250+ 97.89 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 73.92 грн
2500+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 94
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+136.27 грн
90+ 131.08 грн
100+ 126.63 грн
Мінімальне замовлення: 86
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202 грн
10+ 167.72 грн
25+ 137.18 грн
100+ 118.54 грн
250+ 111.21 грн
500+ 105.22 грн
1000+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.81 грн
10+ 123.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+136.27 грн
90+ 131.08 грн
100+ 126.63 грн
Мінімальне замовлення: 86
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.41 грн
10+ 149.21 грн
100+ 120.68 грн
500+ 100.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.83 грн
50+ 165.33 грн
100+ 141.72 грн
500+ 118.22 грн
1000+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6009JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+91.86 грн
132+ 88.89 грн
143+ 81.95 грн
200+ 76.82 грн
1000+ 67.41 грн
Мінімальне замовлення: 128
R6009JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.39 грн
10+ 143.98 грн
50+ 97.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
250+ 61.33 грн
500+ 56.2 грн
1000+ 55.41 грн
2500+ 47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.19 грн
10+ 122.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.95 грн
10+ 127.13 грн
100+ 88.57 грн
500+ 73.25 грн
1000+ 60.27 грн
2000+ 56.14 грн
5000+ 54.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6009KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.35 грн
10+ 124.31 грн
100+ 99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+109.87 грн
112+ 104.95 грн
250+ 100.74 грн
Мінімальне замовлення: 107
R6009KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.28 грн
10+ 129.42 грн
100+ 90.57 грн
500+ 73.92 грн
1000+ 57.07 грн
5000+ 54.94 грн
10000+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+67.46 грн
177+ 66.27 грн
185+ 63.3 грн
200+ 60.08 грн
Мінімальне замовлення: 174
R6009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.45 грн
10+ 160.06 грн
50+ 137.85 грн
100+ 111.88 грн
250+ 111.21 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.97 грн
10+ 147.69 грн
100+ 119.48 грн
500+ 99.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.71 грн
130+ 89.98 грн
160+ 73.21 грн
200+ 66.01 грн
Мінімальне замовлення: 119
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+51.82 грн
5000+ 50.85 грн
10000+ 43.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 90.59 грн
25+ 85.49 грн
100+ 68.35 грн
250+ 64.18 грн
500+ 56.16 грн
1000+ 45.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
R600CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20C2G0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20C2H0
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20D2H0
Код товару: 108459		Транзистори > IGBT
товар відсутній
R600CH20FY0
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R601-000-000Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R601-000-000Hammond2.5mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R601-000-001Hammond3mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-002Hammond3.5mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M
товар відсутній
R601-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R6010BRADYDescription: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M
Art des Zubehörs: Farbband für Drucker
Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75'
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4435.99 грн
10+ 3871.44 грн
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010-00HARWINDescription: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
Höhe: 10.5
Außenbreite: 4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.82 грн
69+ 10.83 грн
Мінімальне замовлення: 55
R6010-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010-00HarwinStandoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.29 грн
14+ 23.43 грн
100+ 17.71 грн
200+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
R6010...BRADYDescription: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Bandbreite: 0
Beschriftungsband: Thermal Transfer
euEccn: NLR
Länge des Bands: 0
Klebebandmaterial: Polyester
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Farbe des Beschriftungsbands: Black
Zur Verwendung mit: 0
usEccn: EAR99
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3653.79 грн
R60100-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-1CREaton ElectricalFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60100-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CREatonFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60100-3CRQEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CRQBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-3SREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R601001 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28'
товар відсутній
R601001 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R601002 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R601002 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56'
товар відсутній
R601003 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10426.33 грн
5+ 9671.61 грн
10+ 8247.61 грн
25+ 7658.92 грн
R601003 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84'
товар відсутній
R601005 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4'
товар відсутній
R601005 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R6010225XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010230XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
товар відсутній
R6010430XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6010630XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010830XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 10A MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
2+277.36 грн
10+ 245.83 грн
100+ 175.14 грн
500+ 149.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+189.16 грн
65+ 181.96 грн
Мінімальне замовлення: 62
R6010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
товар відсутній
R6010ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6010F00HarwinR6010F00
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.24 грн
130+ 90.17 грн
160+ 73.34 грн
200+ 66.22 грн
500+ 61.05 грн
Мінімальне замовлення: 119
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 98
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+128.39 грн
100+ 116.72 грн
123+ 95.42 грн
200+ 86.1 грн
Мінімальне замовлення: 91
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+101.16 грн
127+ 92.31 грн
156+ 75.19 грн
200+ 67.81 грн
Мінімальне замовлення: 116
R6011030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6011225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6011230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товар відсутній
R6011425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6011430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товар відсутній
R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товар відсутній
R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товар відсутній
R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товар відсутній
R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товар відсутній
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.99 грн
10+ 189.72 грн
100+ 152.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 173.84 грн
100+ 119.87 грн
250+ 110.55 грн
500+ 101.22 грн
1000+ 85.91 грн
2500+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товар відсутній
R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.03 грн
10+ 244.3 грн
100+ 173.81 грн
500+ 147.84 грн
1000+ 124.53 грн
2000+ 118.54 грн
5000+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.45 грн
10+ 221.63 грн
100+ 181.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.2 грн
10+ 196.82 грн
100+ 140.51 грн
500+ 119.2 грн
1000+ 99.89 грн
2500+ 95.23 грн
5000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.63 грн
50+ 160.05 грн
100+ 137.18 грн
500+ 114.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.52 грн
10+ 211.37 грн
100+ 151.17 грн
500+ 128.53 грн
1000+ 108.55 грн
2000+ 102.55 грн
5000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.2 грн
10+ 197.58 грн
100+ 137.85 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 95.89 грн
2500+ 87.9 грн
5000+ 87.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.26 грн
10+ 173.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.75 грн
10+ 162.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
товар відсутній
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товар відсутній
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.2 грн
10+ 138.04 грн
100+ 110.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
товар відсутній
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.15 грн
10+ 108.63 грн
100+ 86.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.95 грн
10+ 126.36 грн
100+ 88.57 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 60.27 грн
2500+ 56.14 грн
5000+ 54.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.78 грн
10+ 88.15 грн
100+ 63.95 грн
500+ 53.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237 грн
10+ 204.91 грн
100+ 167.88 грн
500+ 134.12 грн
1000+ 113.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.07 грн
10+ 212.13 грн
100+ 151.17 грн
500+ 129.19 грн
1000+ 108.55 грн
2000+ 103.22 грн
5000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
товар відсутній
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
товар відсутній
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товар відсутній
R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+217.55 грн
56+ 209.25 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
товар відсутній
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
товар відсутній
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A MOSFET
товар відсутній
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+218.36 грн
56+ 210.05 грн
100+ 202.92 грн
250+ 189.74 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6012ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6012ANXFU7C7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+204.65 грн
60+ 196.85 грн
100+ 190.16 грн
Мінімальне замовлення: 58
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
товар відсутній
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
товар відсутній
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
товар відсутній
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.64 грн
66+ 178.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.52 грн
10+ 154.64 грн
25+ 147.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.27 грн
10+ 176.96 грн
100+ 143.16 грн
500+ 119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+208.69 грн
60+ 194.69 грн
100+ 181.38 грн
Мінімальне замовлення: 56
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.07 грн
10+ 198.35 грн
25+ 163.15 грн
100+ 139.85 грн
250+ 132.52 грн
500+ 124.53 грн
1000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товар відсутній
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.14 грн
10+ 229.75 грн
50+ 188.46 грн
100+ 161.82 грн
250+ 152.5 грн
500+ 143.84 грн
1000+ 115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.56 грн
10+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+99.11 грн
128+ 91.27 грн
132+ 88.79 грн
500+ 81.03 грн
1000+ 74.41 грн
Мінімальне замовлення: 118
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9315.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON .5" DI BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7048.75 грн
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товар відсутній
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
10+ 163.78 грн
25+ 154.5 грн
100+ 123.53 грн
250+ 115.98 грн
500+ 101.49 грн
1000+ 82.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+93.06 грн
132+ 88.7 грн
148+ 79.17 грн
Мінімальне замовлення: 126
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A TO-252 POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+90.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.23 грн
10+ 184.24 грн
50+ 174.2 грн
100+ 141.68 грн
250+ 134.41 грн
500+ 120.61 грн
1000+ 100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 8A TO-220FM POWER MOSFET
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.85 грн
10+ 202.94 грн
50+ 149.17 грн
100+ 135.85 грн
250+ 128.53 грн
500+ 120.53 грн
1000+ 103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+114.1 грн
108+ 108.14 грн
124+ 94.25 грн
200+ 86.67 грн
Мінімальне замовлення: 103
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.47 грн
10+ 212.91 грн
25+ 169.58 грн
100+ 132.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.18 грн
10+ 271.18 грн
25+ 215.9 грн
100+ 168.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6014YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.94 грн
10+ 213.67 грн
25+ 175.14 грн
100+ 150.5 грн
250+ 141.84 грн
500+ 134.52 грн
1000+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.73 грн
10+ 170.33 грн
100+ 146.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6014YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 9AR MOSFET
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.52 грн
10+ 206.77 грн
50+ 151.83 грн
100+ 137.85 грн
250+ 130.52 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.99 грн
50+ 167.11 грн
100+ 143.23 грн
500+ 119.48 грн
1000+ 102.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015REED InstrumentsDescription: WOOD MOISTURE METER
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
товар відсутній
R6015ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+296.67 грн
42+ 283.92 грн
50+ 273.1 грн
Мінімальне замовлення: 40
R6015ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+322.52 грн
38+ 308.66 грн
50+ 296.91 грн
100+ 276.59 грн
250+ 248.33 грн
Мінімальне замовлення: 37
R6015ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.92 грн
10+ 321.18 грн
100+ 259.81 грн
R6015ANXROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
товар відсутній
R6015ANX
Код товару: 105991		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6015ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
товар відсутній
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+163.37 грн
75+ 157.14 грн
100+ 151.8 грн
250+ 141.95 грн
500+ 127.85 грн
1000+ 119.74 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.36 грн
10+ 229.75 грн
25+ 188.46 грн
100+ 161.82 грн
250+ 152.5 грн
500+ 143.84 грн
1000+ 122.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.48 грн
10+ 197.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.77 грн
10+ 217.39 грн
100+ 180.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+276.23 грн
67+ 176.05 грн
83+ 142.01 грн
100+ 128.49 грн
500+ 105.08 грн
Мінімальне замовлення: 43
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.64 грн
50+ 187.22 грн
100+ 160.47 грн
500+ 133.86 грн
1000+ 114.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+166.65 грн
73+ 160.3 грн
Мінімальне замовлення: 71
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+166.65 грн
73+ 160.3 грн
100+ 154.86 грн
250+ 144.8 грн
500+ 130.43 грн
1000+ 122.15 грн
Мінімальне замовлення: 71
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.49 грн
10+ 255.02 грн
50+ 181.13 грн
100+ 155.16 грн
500+ 137.85 грн
1000+ 110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.73 грн
10+ 286.42 грн
25+ 241.73 грн
100+ 201.11 грн
300+ 195.12 грн
600+ 178.47 грн
1200+ 143.84 грн
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.4 грн
30+ 242.93 грн
120+ 208.21 грн
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товар відсутній
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.02 грн
10+ 256.55 грн
100+ 182.47 грн
500+ 155.83 грн
1000+ 130.52 грн
2000+ 124.53 грн
5000+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.15 грн
10+ 178.55 грн
100+ 144.4 грн
500+ 120.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.21 грн
53+ 221.44 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.23 грн
10+ 440.35 грн
100+ 314.32 грн
500+ 266.37 грн
1000+ 225.09 грн
2500+ 213.77 грн
5000+ 205.77 грн
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+280.25 грн
44+ 268.2 грн
50+ 257.99 грн
100+ 240.33 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.91 грн
10+ 306.61 грн
100+ 248.04 грн
500+ 206.91 грн
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+217.31 грн
56+ 209.03 грн
100+ 201.94 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+ 147.69 грн
100+ 117.58 грн
500+ 93.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 163.89 грн
100+ 113.21 грн
250+ 104.55 грн
500+ 94.56 грн
1000+ 77.91 грн
2000+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.53 грн
100+ 117.69 грн
Мінімальне замовлення: 95
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.66 грн
2000+ 80.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+ 111.27 грн
100+ 88.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.72 грн
10+ 124.06 грн
100+ 85.24 грн
250+ 84.57 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 58.4 грн
5000+ 56.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+101.16 грн
121+ 96.59 грн
123+ 95.03 грн
200+ 91.45 грн
Мінімальне замовлення: 116
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.64 грн
50+ 187.22 грн
100+ 160.47 грн
500+ 133.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.49 грн
10+ 220.56 грн
50+ 188.46 грн
100+ 155.16 грн
250+ 151.83 грн
500+ 137.18 грн
1000+ 117.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+192.79 грн
63+ 185.45 грн
100+ 179.16 грн
250+ 167.52 грн
500+ 150.89 грн
Мінімальне замовлення: 61
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.4 грн
30+ 242.93 грн
120+ 208.21 грн
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.73 грн
10+ 286.42 грн
25+ 241.73 грн
100+ 201.11 грн
300+ 195.12 грн
600+ 178.47 грн
1200+ 143.84 грн
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
товар відсутній
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
товар відсутній
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.23 грн
10+ 245.06 грн
25+ 200.45 грн
100+ 172.48 грн
250+ 162.49 грн
500+ 153.17 грн
1000+ 130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.02 грн
10+ 220.38 грн
100+ 178.29 грн
500+ 148.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.3 грн
10+ 153.14 грн
25+ 150.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товар відсутній
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.95 грн
10+ 291.01 грн
50+ 239.07 грн
100+ 205.11 грн
250+ 193.12 грн
500+ 181.8 грн
1000+ 155.83 грн
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.88 грн
50+ 247.53 грн
100+ 212.18 грн
500+ 176.99 грн
1000+ 151.55 грн
2000+ 142.7 грн
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.84 грн
10+ 214.43 грн
50+ 157.83 грн
100+ 143.84 грн
250+ 135.85 грн
500+ 127.86 грн
1000+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.19 грн
50+ 172.13 грн
100+ 147.54 грн
500+ 123.08 грн
1000+ 105.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 61
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.41 грн
10+ 297.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R601F3150AA6AJKEMETR601F3150AA6AJ
товар відсутній
R602-10-4
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7131.59 грн
R6020PHILIPS04+
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26941.57 грн
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9
товар відсутній
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
товар відсутній
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
товар відсутній
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
товар відсутній
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+362.96 грн
34+ 347.37 грн
50+ 334.13 грн
100+ 311.27 грн
250+ 279.46 грн
500+ 260.99 грн
Мінімальне замовлення: 33
R6020ANX
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
товар відсутній
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.99 грн
10+ 376.46 грн
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6020ANZ
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+324.61 грн
38+ 310.66 грн
50+ 298.82 грн
100+ 278.37 грн
250+ 249.94 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.06 грн
10+ 156.88 грн
25+ 142.69 грн
100+ 119.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 9061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+ 144.22 грн
100+ 116.68 грн
500+ 97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.37 грн
57+ 208.12 грн
100+ 201.07 грн
250+ 188 грн
500+ 169.34 грн
1000+ 158.59 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.45 грн
10+ 166.18 грн
25+ 143.84 грн
100+ 117.2 грн
250+ 113.87 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.37 грн
57+ 208.12 грн
100+ 201.07 грн
250+ 188 грн
500+ 169.34 грн
1000+ 158.59 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.23 грн
2000+ 83.62 грн
5000+ 80.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.4 грн
10+ 207.54 грн
25+ 169.81 грн
100+ 145.84 грн
250+ 137.85 грн
500+ 128.53 грн
1000+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.32 грн
10+ 174.06 грн
100+ 142.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.8 грн
10+ 198.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.17 грн
50+ 260.71 грн
100+ 223.47 грн
500+ 186.42 грн
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+207.35 грн
70+ 167.66 грн
100+ 156.75 грн
500+ 133.93 грн
Мінімальне замовлення: 57
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
товар відсутній
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+233.84 грн
52+ 224.93 грн
100+ 217.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.37 грн
10+ 307.86 грн
50+ 261.71 грн
100+ 215.76 грн
250+ 211.77 грн
500+ 191.79 грн
1000+ 163.82 грн
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+233.84 грн
52+ 224.93 грн
100+ 217.31 грн
250+ 203.19 грн
500+ 183.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.28 грн
10+ 259.97 грн
25+ 210.67 грн
100+ 148.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.35 грн
10+ 307.72 грн
100+ 248.93 грн
500+ 207.65 грн
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.45 грн
10+ 333.13 грн
30+ 234.41 грн
270+ 207.77 грн
510+ 177.8 грн
1020+ 167.82 грн
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+326.44 грн
38+ 312.42 грн
50+ 300.52 грн
100+ 279.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.86 грн
10+ 355.34 грн
25+ 299.67 грн
100+ 249.73 грн
300+ 241.73 грн
600+ 221.76 грн
1200+ 179.14 грн
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.56 грн
10+ 328.11 грн
100+ 265.42 грн
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+327.18 грн
38+ 313.12 грн
50+ 301.19 грн
100+ 280.58 грн
250+ 251.92 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.49 грн
10+ 226 грн
100+ 185.16 грн
500+ 147.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.23 грн
10+ 351.51 грн
100+ 250.39 грн
500+ 213.77 грн
1000+ 179.8 грн
2000+ 170.48 грн
5000+ 163.82 грн
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+177.58 грн
71+ 166.67 грн
200+ 164.69 грн
500+ 153.07 грн
1000+ 140.84 грн
Мінімальне замовлення: 66
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товар відсутній
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+332.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.7 грн
10+ 431.89 грн
100+ 359.93 грн
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.81 грн
10+ 365.3 грн
25+ 345.88 грн
100+ 273.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.76 грн
10+ 250.63 грн
100+ 202.76 грн
500+ 169.13 грн
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+398.99 грн
31+ 381.85 грн
50+ 367.3 грн
100+ 342.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 252W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.43 грн
10+ 234.57 грн
25+ 215.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+398.99 грн
31+ 381.85 грн
50+ 367.3 грн
100+ 342.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.15 грн
10+ 236.64 грн
100+ 184.46 грн
500+ 174.48 грн
1000+ 150.5 грн
2000+ 141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.66 грн
10+ 355.34 грн
50+ 269.7 грн
100+ 237.74 грн
250+ 232.41 грн
500+ 208.44 грн
1000+ 170.48 грн
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.11 грн
10+ 312.09 грн
100+ 252.46 грн
500+ 210.6 грн
1000+ 180.32 грн
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+331.46 грн
37+ 317.22 грн
50+ 305.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.38 грн
10+ 248.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.58 грн
10+ 506.98 грн
25+ 382.91 грн
100+ 358.94 грн
250+ 316.99 грн
600+ 285.69 грн
1200+ 271.7 грн
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.4 грн
10+ 458.32 грн
100+ 381.96 грн
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+194.45 грн
122+ 95.83 грн
123+ 95.04 грн
Мінімальне замовлення: 61
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.82 грн
10+ 390.57 грн
25+ 333.63 грн
100+ 303 грн
300+ 259.05 грн
600+ 241.07 грн
1200+ 196.45 грн
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.9 грн
10+ 346.22 грн
100+ 280.08 грн
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+349.36 грн
35+ 334.35 грн
50+ 321.61 грн
100+ 299.6 грн
250+ 268.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.36 грн
10+ 398.59 грн
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.4 грн
10+ 200.65 грн
25+ 173.81 грн
100+ 141.18 грн
500+ 125.86 грн
1000+ 107.22 грн
2000+ 101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+259.78 грн
47+ 248.62 грн
50+ 239.15 грн
Мінімальне замовлення: 45
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.8 грн
10+ 185.42 грн
100+ 150 грн
500+ 125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 151.08 грн
100+ 122.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNX
Код товару: 181658		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 164.65 грн
25+ 140.51 грн
100+ 115.87 грн
250+ 113.87 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+233.02 грн
53+ 224.15 грн
100+ 216.54 грн
250+ 202.47 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.07 грн
10+ 281.82 грн
50+ 240.4 грн
100+ 198.45 грн
250+ 194.45 грн
500+ 175.81 грн
1000+ 150.5 грн
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.72 грн
10+ 260.55 грн
100+ 210.76 грн
500+ 175.82 грн
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.82 грн
10+ 429.6 грн
100+ 358.01 грн
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET. R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
товар відсутній
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.55 грн
10+ 335.43 грн
25+ 283.02 грн
100+ 235.08 грн
300+ 228.42 грн
600+ 209.1 грн
1200+ 169.15 грн
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.23 грн
10+ 309.8 грн
100+ 250.6 грн
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+338.7 грн
37+ 324.14 грн
50+ 311.79 грн
100+ 290.46 грн
250+ 260.79 грн
Мінімальне замовлення: 35
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+272.67 грн
500+ 220.59 грн
1000+ 199.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.84 грн
10+ 381.38 грн
25+ 300.34 грн
100+ 276.36 грн
250+ 259.71 грн
500+ 243.07 грн
1000+ 217.09 грн
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.73 грн
10+ 351.56 грн
100+ 292.94 грн
500+ 242.57 грн
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.81 грн
10+ 329.45 грн
100+ 272.67 грн
500+ 220.59 грн
1000+ 199.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303 грн
10+ 250.43 грн
25+ 205.77 грн
100+ 176.47 грн
250+ 166.48 грн
500+ 158.49 грн
1000+ 134.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+300.39 грн
10+ 259.78 грн
100+ 212.84 грн
500+ 170.04 грн
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.96 грн
10+ 230.84 грн
100+ 186.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.35 грн
66+ 179.25 грн
100+ 173.16 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.58 грн
78+ 150.8 грн
100+ 141.87 грн
Мінімальне замовлення: 66
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 12A MOSFET
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.95 грн
10+ 217.49 грн
50+ 159.82 грн
100+ 145.84 грн
250+ 137.18 грн
500+ 129.19 грн
1000+ 110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.28 грн
10+ 191.32 грн
100+ 154.78 грн
500+ 129.12 грн
1000+ 110.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+162.54 грн
75+ 156.35 грн
100+ 151.04 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.43 грн
10+ 179.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.95 грн
10+ 374.49 грн
25+ 307.66 грн
100+ 263.71 грн
250+ 249.06 грн
600+ 234.41 грн
1200+ 191.79 грн
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.9 грн
10+ 346.01 грн
100+ 279.9 грн
500+ 233.49 грн
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+328.77 грн
38+ 314.65 грн
50+ 302.66 грн
100+ 281.94 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.85 грн
10+ 345.13 грн
100+ 279.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+222.23 грн
62+ 190.48 грн
Мінімальне замовлення: 53
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товар відсутній
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товар відсутній
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товар відсутній
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товар відсутній
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товар відсутній
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товар відсутній
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+ 181.5 грн
25+ 149.17 грн
100+ 128.53 грн
250+ 120.53 грн
500+ 113.87 грн
1000+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.25 грн
10+ 268.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.15 грн
10+ 219.03 грн
25+ 180.47 грн
100+ 154.5 грн
250+ 145.84 грн
500+ 137.18 грн
1000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+225.76 грн
54+ 217.15 грн
100+ 209.78 грн
250+ 196.15 грн
500+ 176.68 грн
1000+ 165.47 грн
Мінімальне замовлення: 52
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+ 201.93 грн
100+ 163.4 грн
500+ 136.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.48 грн
10+ 197.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.15 грн
10+ 219.03 грн
25+ 180.47 грн
100+ 154.5 грн
250+ 145.84 грн
500+ 139.18 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.3 грн
50+ 272.53 грн
100+ 233.6 грн
500+ 194.87 грн
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.69 грн
10+ 320.88 грн
50+ 275.7 грн
100+ 225.75 грн
250+ 223.09 грн
500+ 200.45 грн
1000+ 171.81 грн
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.91 грн
53+ 222.11 грн
100+ 214.57 грн
250+ 200.64 грн
500+ 180.73 грн
1000+ 169.25 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+389.89 грн
36+ 330.37 грн
50+ 251.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.21 грн
10+ 334.91 грн
100+ 270.96 грн
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 24A TO-247
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 363 грн
25+ 297.67 грн
100+ 255.05 грн
250+ 241.07 грн
600+ 226.42 грн
1200+ 194.45 грн
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+281.47 грн
44+ 269.38 грн
50+ 259.11 грн
100+ 241.38 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.81 грн
10+ 337.89 грн
100+ 273.35 грн
R6024ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.85 грн
10+ 366.83 грн
25+ 308.99 грн
100+ 257.72 грн
300+ 249.73 грн
600+ 229.08 грн
1200+ 184.46 грн
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+282.75 грн
44+ 266.87 грн
50+ 245.05 грн
200+ 229.6 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6024ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNJTLROHMDescription: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.48 грн
10+ 230.51 грн
25+ 181.13 грн
100+ 162.49 грн
250+ 153.17 грн
500+ 144.51 грн
1000+ 122.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+272.28 грн
45+ 260.58 грн
50+ 250.66 грн
Мінімальне замовлення: 43
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.25 грн
10+ 145.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 162.36 грн
100+ 112.54 грн
250+ 110.55 грн
500+ 94.56 грн
1000+ 75.92 грн
5000+ 73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.37 грн
57+ 208.12 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6024KNXROHMDescription: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+147.83 грн
83+ 140.88 грн
100+ 138.89 грн
Мінімальне замовлення: 79
R6024KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.3 грн
50+ 272.53 грн
100+ 233.6 грн
500+ 194.87 грн
R6024KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.69 грн
10+ 320.88 грн
50+ 275.7 грн
100+ 225.75 грн
250+ 223.09 грн
500+ 200.45 грн
1000+ 171.81 грн
R6024KNZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+491.75 грн
25+ 470.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6024KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.67 грн
10+ 416.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.14 грн
10+ 363.77 грн
100+ 303.14 грн
500+ 251.02 грн
R6024KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24AHIGH-SWITCH MOSFET
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.93 грн
10+ 394.4 грн
50+ 339.63 грн
100+ 285.69 грн
250+ 283.69 грн
500+ 252.39 грн
1000+ 226.42 грн
R6024KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.81 грн
10+ 337.89 грн
100+ 273.35 грн
R6024KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.85 грн
10+ 366.83 грн
25+ 308.99 грн
100+ 257.72 грн
300+ 249.73 грн
600+ 229.08 грн
1200+ 184.46 грн
R6024KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
товар відсутній
R6024VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.47 грн
10+ 366.8 грн
25+ 333.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A HIGH-SPEED DIODE
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.35 грн
10+ 340.79 грн
50+ 251.06 грн
100+ 227.75 грн
250+ 215.76 грн
500+ 202.44 грн
1000+ 173.14 грн
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.3 грн
50+ 272.85 грн
100+ 233.88 грн
500+ 195.1 грн
1000+ 167.05 грн
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+187.29 грн
65+ 180.15 грн
100+ 174.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+164.18 грн
74+ 157.93 грн
100+ 152.57 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6024VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.95 грн
10+ 298.67 грн
50+ 219.76 грн
100+ 199.78 грн
250+ 189.13 грн
500+ 177.8 грн
1000+ 152.5 грн
R6024VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.36 грн
50+ 239.38 грн
100+ 205.17 грн
500+ 171.15 грн
1000+ 146.55 грн
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.127 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.68 грн
10+ 321.98 грн
25+ 292.84 грн
100+ 244.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6025ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6025ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+508.29 грн
25+ 486.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
R6025ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025ANZC8
Код товару: 131473		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6025ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025FNZ1C9
Код товару: 118196		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6025FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
R6025FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+142.86 грн
86+ 136.91 грн
100+ 133.93 грн
500+ 125.33 грн
1000+ 114.27 грн
Мінімальне замовлення: 82
R6025JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.69 грн
10+ 399 грн
50+ 327.64 грн
100+ 280.36 грн
250+ 265.04 грн
500+ 249.73 грн
1000+ 201.11 грн
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+466.63 грн
27+ 446.58 грн
50+ 429.56 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
товар відсутній
R6025JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.71 грн
10+ 368.9 грн
100+ 298.44 грн
500+ 248.96 грн
1000+ 213.17 грн
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+466.63 грн
27+ 446.58 грн
50+ 429.56 грн
100+ 400.17 грн
250+ 359.29 грн
500+ 335.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6025JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.28 грн
10+ 515.96 грн
100+ 429.97 грн
500+ 356.04 грн
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+397.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6025JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
товар відсутній
R6025JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.27 грн
10+ 375.77 грн
100+ 313.17 грн
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.34 грн
10+ 423.5 грн
25+ 362.93 грн
100+ 344.95 грн
300+ 288.35 грн
600+ 269.7 грн
1200+ 231.75 грн
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.33 грн
10+ 313.76 грн
100+ 265.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+393.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+436.97 грн
28+ 418.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.15 грн
10+ 448.6 грн
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.46 грн
10+ 321.65 грн
25+ 264.38 грн
100+ 226.42 грн
250+ 214.43 грн
500+ 201.78 грн
1000+ 171.81 грн
R6027YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.22 грн
10+ 333.9 грн
25+ 273.7 грн
100+ 234.41 грн
250+ 221.76 грн
500+ 209.1 грн
1000+ 177.14 грн
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.07 грн
10+ 308 грн
100+ 249.16 грн
500+ 207.85 грн
1000+ 177.97 грн
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.74 грн
10+ 363.77 грн
25+ 299.01 грн
100+ 256.39 грн
250+ 242.4 грн
600+ 205.77 грн
1200+ 187.13 грн
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9858.17 грн
R603-000-001HammondR603-000-001
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+189.64 грн
Мінімальне замовлення: 62
R6030PHILIPS04+
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11453.77 грн
R6030PHIQFN
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31263.75 грн
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+339.56 грн
36+ 324.97 грн
Мінімальне замовлення: 35
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.51 грн
10+ 233.58 грн
25+ 193.12 грн
100+ 190.46 грн
250+ 187.79 грн
500+ 173.81 грн
5000+ 170.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.05 грн
10+ 385.98 грн
50+ 324.98 грн
100+ 279.03 грн
250+ 273.7 грн
500+ 245.73 грн
1000+ 221.76 грн
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.97 грн
50+ 322.91 грн
100+ 288.93 грн
500+ 239.24 грн
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+329.26 грн
38+ 315.12 грн
50+ 303.11 грн
100+ 282.36 грн
250+ 253.52 грн
500+ 236.76 грн
1000+ 230.97 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6030ENZ1C9
Код товару: 169489		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+668.16 грн
10+ 564.41 грн
30+ 445.51 грн
120+ 417.54 грн
270+ 384.91 грн
510+ 360.27 грн
1020+ 309.66 грн
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+665.62 грн
25+ 634.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.76 грн
10+ 521.37 грн
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.14 грн
10+ 363.14 грн
100+ 302.64 грн
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+246.04 грн
53+ 220.25 грн
200+ 214.29 грн
Мінімальне замовлення: 48
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.02 грн
10+ 409.72 грн
25+ 337.63 грн
100+ 296.34 грн
300+ 286.35 грн
600+ 261.05 грн
1200+ 224.42 грн
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+200.4 грн
62+ 188.5 грн
200+ 185.53 грн
Мінімальне замовлення: 59
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
товар відсутній
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
товар відсутній
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.9 грн
10+ 446.38 грн
25+ 425.59 грн
100+ 346.79 грн
250+ 331.21 грн
500+ 301.98 грн
1000+ 258.7 грн
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+358.55 грн
35+ 343.14 грн
50+ 330.07 грн
100+ 307.49 грн
250+ 276.07 грн
500+ 257.82 грн
Мінімальне замовлення: 33
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.29 грн
10+ 457.96 грн
50+ 360.94 грн
100+ 331.64 грн
250+ 312.32 грн
500+ 293.01 грн
1000+ 263.04 грн
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+457.92 грн
27+ 438.25 грн
50+ 421.55 грн
100+ 392.71 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.51 грн
10+ 502.38 грн
25+ 370.93 грн
100+ 352.95 грн
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
товар відсутній
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+457.92 грн
27+ 438.25 грн
50+ 421.55 грн
100+ 392.71 грн
250+ 352.59 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.66 грн
10+ 281.98 грн
100+ 228.11 грн
500+ 190.29 грн
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.42 грн
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.98 грн
10+ 444.18 грн
25+ 376.25 грн
100+ 350.28 грн
300+ 303 грн
600+ 281.02 грн
1200+ 244.4 грн
R6030JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.32 грн
10+ 394.43 грн
100+ 328.7 грн
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+453.27 грн
27+ 433.79 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+244.06 грн
100+ 233.14 грн
Мінімальне замовлення: 48
R6030JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.72 грн
10+ 517 грн
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+503.63 грн
25+ 482 грн
Мінімальне замовлення: 24
R6030JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6030JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 30A POWER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+503.63 грн
25+ 482 грн
Мінімальне замовлення: 24
R6030KNXROHMDescription: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.04 грн
10+ 205.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6030KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.82 грн
10+ 222.09 грн
25+ 182.47 грн
100+ 156.49 грн
250+ 147.17 грн
500+ 138.51 грн
1000+ 111.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6030KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)